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我国正在研制下一代存储芯片 速度提升1000倍

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    发表于 2018-5-2 19:02:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
    据报道,武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。据研发负责人称,预计明年能在实验室研发成功。届时,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。目前,英特尔等产业巨头也在研究这一方向。
    2017年中国芯片进口量高达3770亿块,折合人民币高达17561 亿元。而在芯片领域,存储芯片是产值和需求量第一的芯片,占芯片总产值近25%。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元。而当前我国95%的存储器芯片依靠进口。未来5-10年阶段,国产化的存储芯片进口替代空间巨大。从存储芯片的技术趋势来看,中国企业与全球竞争对手在3D布局的差距相对更小,国内企业未来有望借助3D存储技术和贴近国内巨大需求市场实现弯道超车。

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     楼主| 发表于 2018-5-2 19:04:11 | 只看该作者
    核心技术不是靠化缘求来的,自主发展才是硬道理!
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     楼主| 发表于 2018-5-4 18:51:44 | 只看该作者
    国内企业未来有望借助3D存储技术和贴近国内巨大需求市场实现弯道超车。

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